Toshiba Corporation, IBM y AMD anunciaron recientemente que han desarrollado en conjunto una celda de memoria SRAM con un área de solo 0.128 µm2, por lo que es la celda de memoria SRAM funcional más pequeña del mundo que utiliza tecnología de transistor de efecto campo con forma de aleta, FinFET (fin-shaped Field Effect Transistor). La celda integrada es más de un 50% más pequeña que la celda de transistor FET no plano de 0,274 µm2 que se venía utilizando. La celda está desarrollada con la reciente tecnología de puerta metálica de alta constante dieléctrica, HKMG (High-K Metal Gate).
Las celdas con memoria SRAM son componentes de la mayoría de los circuitos integrados a gran escala en el nivel de sistema, tales como microprocesadores, por lo que celdas con memoria SRAM más pequeñas pueden ayudar a obtener procesadores más pequeños, más rápidos y que consuman menos energía. Este desarrollo tecnológico fue anunciado el 16 de diciembre en una ponencia técnica presentada en el International Electron Devices Meeting (Encuentro Internacional de Dispositivos Electrónicos) de 2008 realizado en San Francisco, California
Cuando se fabrican celdas de memoria SRAM utilizando transistores planos convencionales, para reducir la medida del transistor los fabricantes de tarjetas inteligentes, IC (Intelligent Cards), por lo general, ajustan sus propiedades agregando más impurezas en el área del dispositivo. Sin embargo, este ajuste genera una variabilidad no deseable y deteriora la estabilidad de la memoria. Este tema es cada vez más crítico, especialmente en las tecnologías de nodo de 22 nm y superiores. El uso de transistores FinFETs ?transistores verticales con canales de silicona en forma de aleta y sin agregado de impurezas? representa un enfoque alternativo que permite la reducción del tamaño de las celdas de memoria SRAM con una variación característica menor.
Fuentes | Electrónicafacil
Enlaces | International Electron Devices Meeting
